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第三届电子元器件辐射效应国际集会在渝召开

公布工夫:2019-06-03 | 作者:市科协企奇迹部 | 编辑:科协-刘露

5月30日-31日,由市科协作为支持单元,模仿集成电路国度级重点实行室、中科院新疆理化所及哈尔滨产业大学结合主理的第三届电子元器件辐射效应国际集会(ICREED)在重庆召开,来自中国、美国、俄罗斯、日本等10余个国度的240余名代表参与集会。

第三届电子元器件辐射效应国际集会现场

集会约请了电子元器件辐射效应范畴多位国际外着名专家就资料、器件、电路及零碎的空间辐照技能停止了交换讨论并做宗旨和约请陈诉。中国航天科技团体第九研讨院科技委赵元富、中科院兰州近物所刘杰、哈尔滨产业大学李兴冀、工信部电子五所恩云飞、美国范德堡大学Ken Galloway、Dan Fleetwood,俄罗斯ISDE空间设置装备摆设工程研讨所Vasily Anashin,日本神户大学Takashi Uchino等国际外着名专家就硅基落第三代半导体功率器件、2D半导体资料、纳米级CMOS集成电路等在空间中的使用停止了深化交换。

集会在技能与论文交换关键,与会科技任务者就资料、器件、电路及电子零碎的辐射效应,测试办法,加固技能和评价办法睁开了充沛交换和讨论。

集会时期,建立了ICREED集会学术委员会,中国迷信院郝跃院士和刘明院士任学术委员会参谋,第四届ICREED集会将于2021年在西安举行。

本次集会的乐成举行为重庆市半导体行业和军工电子开展注入新颖血液,提拔了业界着名度。

市科协企奇迹部供稿

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